Ce este un tranzistor MIS?

Elementul de bază al elementelor semiconductoare este în continuă creștere. Fiecare nouă invenție în acest domeniu schimbă în realitate întregul concept al sistemelor electronice. Schimbarea capabilităților schematice în design, apar noi dispozitive pe baza lor. De la inventarea primului tranzistor (1948), a trecut mult timp. Structurile "p-n-p" și "n-p-n" au fost inventate; tranzistori bipolari. De-a lungul timpului, a apărut un tranzistor MOS, care lucra pe principiul schimbării conductivității electrice a unui strat semiconductor de suprafață, sub influența unui câmp electric. Prin urmare, un alt nume pentru acest element este câmpul 1.

Abrevierea MDP (metal-dielectric-semiconductor) caracterizează structura internă a acestui dispozitiv. Într-adevăr, obturatorul este izolat de la scurgere și sursă printr-un strat subțire neconductor. Transistorul modern MIS are o lungime a porții egală cu 0,6 μm. Doar un câmp electromagnetic poate trece prin el - ceea ce afectează starea electrică a semiconductorului.

Să ne uităm la modul în care funcționează efect de câmp tranzistor, și să afle care este diferența sa principală față de "colegul" bipolar. Când apare potențialul necesar pe poartă, apare un câmp electromagnetic. Aceasta afectează rezistența tranziției de tranziție a sursei de scurgere. Iată câteva avantaje ale utilizării acestui dispozitiv.

• În starea deschisă, rezistența tranzitorie la sursa de scurgere este foarte mică, iar tranzistorul MIS este utilizat cu succes ca o cheie electronică. De exemplu, el poate gestiona un amplificator operațional, prin manevrarea încărcăturii sau prin participarea la operarea circuitelor logice.
• De asemenea, rețineți rezistența ridicată la intrare a dispozitivului. Acest parametru este destul de relevant când lucrați în circuite cu curent scăzut.
• Capacitatea scăzută a tranziției sursei de scurgere face posibilă utilizarea unui tranzistor MIS în dispozitive de înaltă frecvență. În acest proces, nu există nici o distorsiune în transmiterea semnalului.
• Dezvoltarea de noi tehnologii în producerea de elemente a dus la crearea de tranzistoare IGBT, combinând calități pozitive câmp și elemente bipolare. Modulele de putere bazate pe acestea sunt utilizate pe scară largă în softstartere și convertoare de frecvență.

La proiectarea și lucrul cu aceste elemente, este necesar să se țină seama de faptul că tranzistorii MIS sunt foarte sensibili la supratensiune în circuit și electricitate statică. Aceasta înseamnă că dispozitivul poate fi deteriorat atingând bornele de comandă. Utilizați împământare specială la instalare sau demontare.

Perspectivele pentru utilizarea acestui dispozitiv sunt foarte bune. Datorită proprietăților sale unice, a găsit o largă aplicare în diverse echipamente electronice. Direcția inovatoare în electronica modernă este utilizarea modulelor de putere IGBT pentru funcționarea în diverse circuite, inclusiv cele de inducție.

Tehnologia producției lor este în mod constant îmbunătățită. Lucrăm la reducerea (diminuarea) lungimii obturatorului. Acest lucru va îmbunătăți parametrii de performanță deja buni ai dispozitivului.