Field tranzistori efect și principiul de funcționare a acestora

Field-efect tranzistori sunt numite dispozitive semiconductoare, principiul de funcționare care se bazează pe modularea rezistenței prin câmpul electric transversal al unui material semiconductor.

O caracteristică distinctivă a dispozitivelor de acest tip este aceea că tranzistorii cu efect de câmp au un factor de amplificare de înaltă tensiune și o rezistență ridicată la intrare.

Aceste dispozitive în creație curent electric Numai transportatorii de aceeași taxă (electroni) participă.

Există două tipuri de tranzistoare cu efect de câmp:

- având structura MIS, adică metal, urmat de un dielectric, apoi de un semiconductor (MDP);

- având o p-n-joncțiune de control.

Structura celui mai simplu tranzistor cu efect de câmp include o placă fabricată dintr-un material semiconductor cu o singură joncțiune p-n în centru și contacte ne-îndreptate de-a lungul marginilor.

Electrodul unui astfel de dispozitiv, prin intermediul căruia purtătoarele de încărcare trec, este numit sursă, iar electrodul, prin care electrozii ies din canal, este o scurgere.

Uneori se întâmplă ca astfel de dispozitive cheie puternice să fie necorespunzătoare. Prin urmare, în timpul reparării oricărui echipament electronic, este adesea necesar să se verifice tranzistorul cu efect de câmp.

Pentru aceasta, este necesar să se evaporeze dispozitivul, tk. pe circuitul electronic nu poate fi verificată. Apoi, urmând anumite instrucțiuni, începeți să verificați.

Eficiența tranzistorilor cu efect de câmp are două moduri de funcționare - dinamic și cheie.

Modul cheie de funcționare a unui tranzistor este unul în care tranzistorul se află în două stări - complet deschise sau complet închise. Dar starea intermediară, atunci când componenta este parțial deschisă, este absentă.

În cazul ideal, atunci când tranzistorul este "deschis", adică este în așa-numitul mod de saturație, rezistența dintre bornele "scurgere" și "sursă" tinde la zero.

Puterea pierderii în stare deschisă este reprezentată de produsul tensiunii (egal cu zero) cu valoarea curentă. În consecință, puterea împrăștierii este zero.

În modul de decuplare, adică atunci când tranzistorul este blocat, rezistența acestuia între "scurgere / sursă" duce la infinit. Pierderea de putere în starea închisă este produsul valorii tensiunii prin valoarea curentului egal cu zero. În consecință, puterea de pierdere = 0.

Se pare că în modul cheie, pierderea de putere a tranzistorilor este zero.

În practică, cu un tranzistor deschis, în mod firesc, va exista o rezistență "de scurgere / sursă". Cu un tranzistor închis, un mic curent trece prin aceste terminale. Prin urmare, în modul static, pierderea de putere în tranzistor este minimă.

Și în dinamică, în cazul în care tranzistorul este închis sau deschis, regiunea sa liniară amplifică punctul de operare, unde curentul care trece prin tranzistor face în mod condiționat jumătate din curentul de scurgere. Dar tensiunea "scurgere / sursă" cel mai adesea atinge jumătate din valoarea maximă. În consecință, modul dinamic al tranzistorului oferă alocarea unei pierderi imense de putere, ceea ce reduce la "nu" proprietățile remarcabile ale modului cheie.

Dar, la rândul său, prezența pe termen lung a unui tranzistor într-un mod dinamic este mult mai mică decât durata de timp în modul static. Ca urmare, coeficientul de eficiență Cascada tranzistorului, care funcționează într-un mod cheie, este foarte ridicată și poate fi de la nouăzeci și trei la nouăzeci și opt la sută.

Eficiența tranzistorilor cu efect de câmp, care funcționează în modul de mai sus, sunt utilizate pe scară largă în instalațiile de conversie a energiei, în surse de alimentare cu impulsuri, în stadiile de ieșire ale anumitor emițătoare etc.